| SI2369DS-T1-GE3 | |
|---|---|
| ભાગ નંબર | SI2369DS-T1-GE3 |
| ઉત્પાદક | Vishay Siliconix |
| વર્ણન | MOSFET P-CH 30V 7.6A TO236 |
| જથ્થો ઉપલબ્ધ છે | 8000 pcs new original in stock. સ્ટોક અને ક્વોટેશન વિનંતી કરો |
| Ecad | |
| માહિતી પત્ર | 1.SI2369DS-T1-GE3.pdf2.SI2369DS-T1-GE3.pdf3.SI2369DS-T1-GE3.pdf |
| SI2369DS-T1-GE3 Price |
વિનંતી ભાવ અને લીડ સમય ઓનલાઇન or Email us: Info@ariat-tech.com |
| એએએ 1 ની ટેકનિકલ માહિતી | |||
|---|---|---|---|
| ઉત્પાદક ભાગ ક્રમાંક | SI2369DS-T1-GE3 | કેટેગરી | |
| ઉત્પાદક | Vishay / Siliconix | વર્ણન | MOSFET P-CH 30V 7.6A TO236 |
| પેકેજ / કેસ | SOT-23-3 (TO-236) | જથ્થો ઉપલબ્ધ છે | 8000 pcs |
| વીજીએસ (વી) (મેક્સ) @ આઇડી | 2.5V @ 250µA | વી.જી.એસ. (મેક્સ) | ±20V |
| ટેકનોલોજી | MOSFET (Metal Oxide) | સપ્લાયર ઉપકરણ પેકેજ | SOT-23-3 (TO-236) |
| સિરીઝ | TrenchFET® | આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઇડી, વી.જી.એસ. | 29mOhm @ 5.4A, 10V |
| પાવર ડિસિસેપ્શન (મેક્સ) | 1.25W (Ta), 2.5W (Tc) | પેકેજ / કેસ | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| પ packageકિંગ | Tape & Reel (TR) | ઓપરેટિંગ તાપમાન | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| માઉન્ટિંગ પ્રકાર | Surface Mount | ઇનપુટ કેપેસિટેન્સ (સીસ) (મેક્સ) @ વીડીએસ | 1295 pF @ 15 V |
| ગેટ ચાર્જ (ક્યુજી) (મેક્સ) @ વીએસએસ | 36 nC @ 10 V | એફઆઈટી પ્રકાર | P-Channel |
| એફઇટી ફિચર | - | ડ્રાઇવ વોલ્ટેજ (મેક્સ આરડીએસ ઓન, મિન આરડીએસ) | 4.5V, 10V |
| સોર્સ વોલ્ટેજ માટે ડ્રેઇન (Vdss) | 30 V | વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઇડી) @ 25 ° સે | 7.6A (Tc) |
| આધાર ઉત્પાદન નંબર | SI2369 | ||
| ડાઉનલોડ કરો | SI2369DS-T1-GE3 PDF - EN.pdf | ||
અમને ઇમેઇલ કરો: Info@Ariat-Tech.com અથવા આરએફક્યુ SI2369DS-T1-GE3 .નલાઇન.
| SI2369DS-T1-GE3 સ્ટોક | SI2369DS-T1-GE3 ભાવ | SI2369DS-T1-GE3 ઇલેક્ટ્રોનિક્સ |
| SI2369DS-T1-GE3 ઘટકો | SI2369DS-T1-GE3 ઇન્વેન્ટરી | SI2369DS-T1-GE3 ડિજીકી |
| સપ્લાયર SI2369DS-T1-GE3 | Aનલાઇન SI2369DS-T1-GE3 ઓર્ડર | પૂછપરછ SI2369DS-T1-GE3 |
| SI2369DS-T1-GE3 છબી | SI2369DS-T1-GE3 ચિત્ર | SI2369DS-T1-GE3 પીડીએફ |
| SI2369DS-T1-GE3 ડેટાશીટ | SI2369DS-T1-GE3 ડેટાશીટ ડાઉનલોડ કરો | ઉત્પાદક Vishay / Siliconix |
